型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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描述:
NXP PBSS5350T 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 300 mW, 3 A, 200 hFE
2148
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描述:
MMBT3904/TO-236AB/REEL 11" Q3/
2105
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描述:
NXP PBHV9050T 单晶体管 双极, PNP, -500 V, 50 MHz, 300 mW, -150 mA, 160 hFE
1323
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描述:
NXP PBSS4032PT 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 160 MHz, 390 mW, -2.4 A, 320 hFE
4918
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描述:
NXP PBSS4230T 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
3092
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描述:
NXP PBSS4021NT 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 165 MHz, 390 mW, 4.3 A, 550 hFE
5542
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描述:
NXP PBHV9115T 单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 300 mW, -1 A, 220 hFE
7727
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描述:
NXP PBSS8110T 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE
5196
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描述:
Trans GP BJT NPN 10V 0.05A 3Pin TO-236AB T/R
5515
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描述:
PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
9797
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描述:
NXP PBSS4041PT 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 150 MHz, 390 mW, -2.7 A, 300 hFE
9395
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描述:
PBSS5350T - 50V, 3A PNP low VCEsat (BISS) transistor
2762
-
描述:
NXP PDTA124ET 单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 60 hFE
8789
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描述:
NXP PDTA143ET 单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
6364
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描述:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3Pin TO-236AB T/R
1698
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描述:
PNP 晶体管，NXP ### 数字晶体管，NXP 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
6983
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描述:
NXP PDTC143XT 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 50 hFE
9263
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描述:
PDTC144TT 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 47k 增益100 SOT-23/SC-59 marking/标记 W41
5176
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描述:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3Pin TO-236AB T/R
8216
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